เมื่อปีที่แล้ว Samsung ได้เปิดตัวหน่วยความจำแบบ eUFS 3.0 ไป ซึ่งทำความเร็วได้ 410MB/s ตอนนี้ Samsung ก็ได้เปิดตัวหน่วยความจำรุ่นใหม่แล้วคือ eUFS 3.1 ขนาด 512GB ซึ่งทำความเร็วได้สูงถึง 1GB/s เร็วกว่า eUFS 3.0 ถึงเกือบ 3 เท่าตัว โดยจะเอามาลงในสมาร์ทโฟนระดับเรือธงกันก่อน
ชิปหน่วยความจำ eUFS 3.1 ขนาด 512GB ที่ผลิตโดย Samsung นี้สามารถทำความเร็วในการอ่าน-เขียนได้สูงถึง 1,200 MB/s ซึ่งเร็วกว่าหน่วยความจำแบบ SATA บน PC (540MB/s) ถึง 2 เท่า แถมเร็วกว่า UHS-I microSD (90MB/s) ถึง 10เท่า
ชิปแบบ eUFS 3.1 นั้นทำให้การถ่ายวีดีโอระดับ 8K หรือการถ่ายภาพที่มีความละเอียดสูงมาก ๆ สามารถทำได้อย่างรวดเร็วมากขึ้น รวมไปถึงการถ่ายโอนข้อมูลเองก็จะใช้เวลาน้อยลงอย่างมากด้วย อีกทั้งเมื่อทำการถ่ายโอนข้อมูลขนาด 100GB นั้นใช้เวลาเพียงแค่ 1.5 นาทีเท่านั้น ในขณะที่ UFS 3.0 ใช้เวลาไปมากกว่า 4 นาที
ในชิป eUFS 3.1 นั้นนอกจากขนาด 512GB แล้วยังมีขนาด 128GB และ 256GB ให้เลือกด้วย ซึ่งชิป eUFS 3.1 นี้จะถูกเอาไปติดตั้งในสมาร์ทโฟนระดับเรือธงรุ่นที่จะเปิดตัวปลายปีนี้แน่นอน
ที่มา : gsmarena
