Qualcomm ได้เปิดตัวชิปเซ็ตตัวแรง Snapdragon 835 ในงาน CES 2017 ที่ลาสเวกัส และแน่นอนว่ามันเป็นชิปเซ็ตที่แรง, เร็ว และดีที่สุดเท่าที่ Qualcomm เคยทำมา
โดยสเปคของ Qualcomm Snapdragon 835 เป็นชิปเซ็ต Hi-End จำนวน 8 Kyro 280 CPU Core แยกออกเป็น 4 Core ที่มีความเร็ว 2.45 GHz สำหรับการประมวลผลหนัก ๆ เช่น การเล่นเกม, เรนเดอร์วีดีโอ, VR ส่วนอีก 4 Core ที่เหลือจะมีความเร็วอยู่ที่ 1.9 GHz ซึ่งจะทำงานประมาณ 80% ของทั้งหมด ที่เป็นการใช้งานทั่วไปเป็นหลัก
Snapdragon 835 ใช้เทคโนโลยี 10 nm ของทาง Samsung ให้ประสิทธิภาพสูงกว่าชิปเซ็ตรุ่นก่อนหน้า 27% แต่จะมีการใช้พลังงานที่ลดลงถึง 40% รวมถึงขนาดชิปเซ็ตที่เล็กลงไปอีก ส่วนฟีเจอร์ในการชาร์จไฟ Quick Charge 4.0 ก็สามารถชาร์จไฟได้เร็วกว่า Quick Charge 3.0 ถึง 20% โดยทาง Qualcomm เคลมว่า Snapdragon 835 สามารถใช้งานได้นานกว่าเดิม ถ้าใช้ Voice Calls สามารถใช้งานได้มากกว่า 1 วัน, 5 วันสำหรับการฟังเพลง, 7 ชั่วโมงสำหรับการรับชม 4K Video และสามารถอัดวีดีโอ 4K ต่อเนื่องได้นานถึง 3 ชั่วโมง
ส่วนการชาร์จไฟผ่านฟีเจอร์ Quick Charge 4.0 ใช้เวลาเพียง 5 นาที สามารถเพิ่มชั่วโมงการใช้งานแบตเตอรี่ได้ 5 ชั่วโมง และถ้าใช้เวลาชาร์จ 15 นาที สามารถเติมแบตเตอรี่ได้ถึง 50% เลยทีเดียว สำหรับการใช้พลังงานและประสิทธิภาพของ Snapdragon 835 หากเทียบกับ Snapdragon 801 เมื่อ 2 ปีที่แล้วใน HTC One M8 มันจะใช้พลังงานและประสิทธิภาพเพียงครึ่งเดียวเท่านั้น
Snapdragon 835 จะรองรับการทำงานร่วมกับกล้องหลังความละเอียดสูงสุดถึง 32 ล้านพิกเซล หรือกล้องหลังคู่ ความละเอียด 16 ล้านพิกเซล มาพร้อมกับเทคโนโลยี Clear Sight ในกล้องคู่ รองรับการบันทึกวีดีโอ 4K 30 fps และเล่นไฟล์ 4K 60 fps ได้ ส่วนชิป GPU Adreno 540 ก็มาพร้อมกับความสามารถในการเรนเดอร์สูงกว่ารุ่นก่อนหน้า และรองรับเทคโนโลยี Daydream VR ของทาง Google ด้วย
คาดการณ์ว่าเราจะพบ Snapdragon 835 ได้ในมือถือแอนดรอยตัวท็อปในปี 2017 ที่จะเปิดตัวในเร็ว ๆ นี้ ได้แก่ LG G6, HTC 11 และ Samsung Galaxy S8 (ในบางประเทศ) รวมถึงมือถือรุ่นอื่น ๆ ในปี 2017 ด้วย
ที่มา: phonearena
