Samsung ได้พัฒนาหน่วยความจำ NAND ชนิดใหม่ที่เรียกว่า V-NAND ด้วยการผลิตแบบสามมิติหรือ Stacked เพื่อสามารถซ้อนเลเยอร์กันได้ (อาจจะเปรียบได้กับ 3D Transistor ของ Intel) โดยทำการซ้อนได้ถึง 24 ชั้น ทำให้ชิป V-NAND นี้จะมีความจุเริ่มต้นที่ 128 GB และทำความจุได้สูงสุดถึง 1 TB โดยพร้อมที่จะผลิตแบบเป็นจำนวนมากในปี 2014

31

ในปีหน้านอกจากแรมที่ 4 GB แล้ว พื้นที่เก็บข้อมูลก็ดูแล้วจะถูกพัฒนาก้าวขึ้นแบบก้าวกระโดดเช่นกันถ้าสามารถผลิตได้ออกมาตามกำหนด โดยความจุบนมือถือที่สูงในทึ่สุดตอนนี้อยู่ที่ 64 GB แต่สำหรับ V-NAND นั้นขั้นต่ำก็อยู่ที่ 128 GB แล้วครับ

 

 

ที่มา : Samsung Tomorrow