ไม่กี่วันที่ผ่านมา Qualcomm ได้เปิดตัวชิปประมวลผลรุ่นใหม่ระดับเรือธงของตนเองที่จะอยู่ในสมาร์ทโฟนระดับ High End ในปีหน้า โดยมีชื่อว่า Snapdragon 835 นั่นเอง โดยมีหมายเลขรุ่นว่า MSM 8998 ซึ่งมีรายละเอียดสเปคที่มากับสถาปัตยกรรมแบบ 10 nm FinFET จากซัมซุง และทาง Qualcomm ได้เผยว่าจะมีประสิทธิภาพที่สูงกว่าชิปตัวเดิมอย่าง Snapdragon 821 ที่เป็นชิปขนาด 14 nm ถึง 27 % และประหยัดพลังงานแบตเตอรี่มากกว่าถึง 40 % นอกจากนี้จุดเด่นอีกอย่างของชิป Snapdragon 835 คือฟีเจอร์ Quick Charge 4.0 ที่ทำให้การชาร์จแบตเตอรี่ 5 นาที สามารถใช้งานได้ถึง 5 ชั่วโมงเลยทีเดียว
ในวันนี้เองได้มีรายละเอียดเพิ่มเติมเกี่ยวกับชิป Snapdragon 835 มาให้เราได้เห็นกันที่สำคัญยังแถมรายละเอียด Snapdragon 660 มาให้ด้วย ซึ่ง Snapdragon 835 จะมาพร้อมกับชิปประมวลผลกราฟฟิก Adreno 540 ที่มีประสิทธิภาพมากกว่ารุ่นเดิม มากับ LTE X16 Baseband และรองรับ LTE Cat. 16 ที่ความเร็วในการดาวน์โหลดสูงสุด 1 Gbps นอกจากนี้ยังสนับสนุนแรมสี่ช่อง LPDDR4X-1866 และรองรับหน่วยความจำภายในแบบ UFS 2.1 ซึ่งชิป Snapdragon 835 เตรียมลงสู่สมาร์ทโฟนในช่วงไตรมาสแรกของปี 2017 โดยคาดว่าจะอยู่ใน Samsung Galaxy S8 ที่จะถูกเปิดตัวในงาน MWC กุมภาพันธ์ปีหน้า
ส่วน Snapdragon 660 จะเป็นชิปประมวลผลสำหรับสมาร์ทโฟนระดับ Mid-Range แต่ประสิทธิภาพก็ไม่ได้น้อยหน้าระดับ High-End เลย โดยจะมากับกระบวนการผลิตขนาด 14 nm FinFet LPP จากซัมซุง ที่มีความเร็วในการประมวลผลอยู่ที่ 2.2 GHz ใช้ชิปประมวลผลกราฟฟิก Adreno 512 มากับ LTE X10 Baseband และมีช่องใส่แรมสองช่อง LPDDR4X-1866 และรองรับหน่วยความจำภายในแบบ UFS 2.1
ที่มา Gizmochina
