ล่าสุด Qualcomm ได้ออกมาประกาศกำหนดการจัดงานประจำปีครั้งประจำครั้งใหญ่อย่าง Snapdragon Summit 2026 เป็นที่เรียบร้อยแล้ว โดยงานจะจัดขึ้นระหว่างวันที่ 22 – 24 กันยายนนี้ ที่ฮาวาย และแน่นอนว่าไฮไลต์ของงานนี้สำหรับวงการมือถือ ก็คงจะเป็นการเปิดตัวชิประดับเรือธงรุ่นใหม่ที่จะไปอยู่ในมือถือตัวท็อปช่วงปลายปีนี้ และยาวไปถึงปีหน้า
หลังจากที่ปีที่แล้ว Qualcomm ได้ทำการเปิดตัว Snapdragon 8 Elite Gen 5 ในงานเดียวกัน แต่ในปี 2026 นี้ มีรายงานว่าทางค่ายเตรียมจะปรับการเปิดตัวใหม่ โดยจะทำการแยกไลน์อัปชิปเรือธงออกเป็น 2 รุ่นย่อยเป็นครั้งแรก ด้วยรหัสชิป SM8950 และ SM8975 ที่คาดว่าจะใช้ชื่ออย่างเป็นทางการว่า Snapdragon 8 Elite Gen 6 และ Snapdragon 8 Elite Gen 6 Pro ที่ชิปทั้งสองรุ่นจะผลิตบนสถาปัตยกรรมขนาด 2 นาโนเมตรของ TSMC
สเปคชิป Snapdragon 8 Elite Gen 6 และ Snapdragon 8 Elite Gen 6 Pro
จากข้อมูลที่หลุดออกมาก่อนหน้านี้จากแหล่งข่าวของจีนอย่าง Digital Chat Station ได้เผยรายละเอียดชิปรุ่นใหม่ออกมาบ้างแล้วเบื้องต้น มีรายละเอียดดังนี้
Snapdragon 8 Elite Gen 6
รุ่นนี้จะอัปเกรดโครงสร้างภายในใหม่ทั้งหมด เพื่อเน้นความแรงที่เสถียรขึ้น และประหยัดพลังงานมากขึ้น
- CPU: มาพร้อมสถาปัตยกรรม Oryon เจนใหม่ จัดเรียงคอร์แบบ 2+3+3 พร้อม L2 Cache แบบใช้ร่วมกันขนาด 16MB
- GPU: ใช้ Adreno 845 ดีไซน์แบบ 6-Slice มีหน่วยความจำ GMEM ในตัวขนาด 12MB และแคชในระบบอีก 6MB
- RAM: รองรับหน่วยความจำ RAM แบบ LPDDR5X และเทคโนโลยีหน่วยความจำภายในความเร็วสูงเวอร์ชันใหม่อย่าง UFS 5.0
Snapdragon 8 Elite Gen 6 Pro
สำหรับรุ่น Pro จะเป็นตัวท็อปที่อัดสเปคมาแบบเต็มที่สุดๆ เพื่อมือถือสายเกมมิ่ง และกลุ่มมือถือเน้นประสิทธิภาพสูงสุดกว่าปกติ
- GPU: มาพร้อม GPU Adreno 850 ที่มีหน่วยความจำ GMEM สูงถึง 18MB ซึ่งช่วยขยาย Bus Width และความจุหน่วยความจำเพิ่มขึ้นถึง 50% เมื่อเทียบกับ Snapdragon 8 Elite Gen 5 รุ่นปัจจุบัน
- RAM: นอกจาก RAM แบบ LPDDR5X แล้ว ชิปรุ่นนี้จะขยับไปรองรับ RAM แบบใหม่อย่าง LPDDR6 อีกด้วย
- ความเร็ว: คาดว่ารุ่น Pro จะดันความเร็ว Clock Speed ไปได้สูงสุดถึง 5GHz และจะทำให้ชิปตัวนี้กลายเป็นชิปมือถือรุ่นแรกในประวัติศาสตร์ที่ทำความเร็วได้ระดับนี้
การระบายความร้อนใหม่ แก้ปัญหาความร้อนสะสม
จากข้อมูลความเร็วที่พุ่งไปแตะระดับ 5GHz สิ่งที่ตามมาแน่นอนเลยก็คือเรื่องของความร้อน ที่มีข้อมูลจาก Block Diagram หลุดออกมาเผยว่า Qualcomm อาจเลือกใช้เทคโนโลยีระบายความร้อนที่เรียกว่า Heat Pass Block (HPB) ที่เป็นระบบการจัดการความร้อนแบบเดียวกับที่คาดว่าจะใช้ในชิป Exynos 2600 ของ Samsung และระบบนี้จะมีการเพิ่มชั้นกระจายความร้อนพิเศษ ใส่ลงไปบนตัวชิปเซ็ตโดยตรง เพื่อช่วยดึงความร้อนออกจากซิลิคอนให้เร็วที่สุด
คาดว่าหลังจากนี้ในสัปดาห์หน้า เราน่าจะได้เห็นผลทดสอบ Benchmark และข้อมูลฟีเจอร์ของชิปทั้งสองตัวนี้หลุดตามออกมาให้เห็นกันแน่นอน
ที่มา: gizmochina,
