Topics: V-NAND

Samsung พัฒนา V-NAND สำหรับอุปกรณ์พกพาสำเร็จแล้ว เริ่มต้นที่ 128 GB พร้อมผลิตใช้ในปี 2014

Samsung พัฒนา V-NAND สำหรับอุปกรณ์พกพาสำเร็จแล้ว เริ่มต้นที่ 128 GB พร้อมผลิตใช้ในปี 2014

Samsung ได้พัฒนาหน่วยความจำ NAND ชนิดใหม่ที่เรียกว่า V-NAND ด้วยการผลิตแบบสามมิติหรือ Stacked เพื่อสามารถซ้อนเลเยอร์กันได้ (อาจจะเปรียบได้กับ 3D Transistor ของ Intel) โดยทำการซ้อนได้ถึง 24 ชั้น ทำให้ชิป V-NAND นี้จะมีความจุเริ่มต้นที่ 128 GB และทำความจุได้สูงสุดถึง 1 TB โดยพร้อมที่จะผลิตแบบเป็นจำนวนมากในปี 2014 ในปีหน้านอกจากแรมที่...